" Определите, какие из указанных элементов на внешнем уровне содержат больше s-электронов, чем p-электронов (в основном состоянии).  1) H         2) Si…

Класс, разберём по полочкам.

Подсказка (если нужна): на внешнем уровне нужно посчитать сколько s-электронов и сколько p-электронов в самой удалённой оболочке (valence shell) у каждого элемента, и выбрать те, где s-электронов больше, чем p-электронов.

Разбор задачи и ответ:

• Правильные элементы: 1 и 3 (H и Be).

Пояснение по каждому элементу:

• H (1) — конфигурация 1s1. Внешняя оболочка — 1s: s-электронов = 1, p-электронов = 0. 1 > 0, значит подходит.
• Si (2) — конфигурация 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2. Внешняя оболочка: 3s2 3p2 → s = 2, p = 2. s не больше p (они равны), не подходит.
• Be (3) — конфигурация 1s2 2s2. Внешняя оболочка — 2s: s-электронов = 2, p-электронов = 0. 2 > 0, значит подходит.
• N (4) — конфигурация 1s2 2s2 2p3. Внешняя оболочка: 2s2 2p3 → s = 2, p = 3. p больше, не подходит.
• F (5) — конфигурация 1s2 2s2 2p5. Внешняя оболочка: 2s2 2p5 → s = 2, p = 5. p больше, не подходит.

Итого ответ: 1 и 3.

По твоему ответу: ты не дал ответ на задание. Правильный набор номеров — 1 и 3. Многие ошибки возникают из-за того, что путают внешнюю оболочку или забывают учесть только s и p в этой оболочке.

Если хочешь, могу дать ещё пару коротких задач-подсказок для закрепления (или разобрать другие элементы по аналогии).

Поставь лайк или дизлайк, чтобы я знал, что тебе полезно!