Классно, давайте разберёмся вместе.
Ключ: в конфигурации ns^1 np^3 во внешнем энергоперенике должно быть ровно 4 электрона (1 в s-уровне и 3 в p-уровне). Значит речь идёт о нейтральных атомах с 4 валентными электронами в своей внешней оболочке (группа IVA).
Разбираем по элементам:
- O (1) — внешняя оболочка 2s^2 2p^4 → всего 6 валентных электронов. В возбуждённом состоянии нельзя получить ns^1 np^3, не убрав электроны из внешней оболочки (что противоречит условию нейтральности и заданной конфигурации). Поэтому O не подходит.
- S (2) — аналогично O: 3s^2 3p^4, 6 валентных электронов. Не подходит.
- C (3) — внешняя оболочка 2s^2 2p^2 → всего 4 валентных электрона. В возбуждённом состоянии возможно ns^1 np^3 (например, 2s^1 2p^3). Подходит.
- Te (4) — внешняя оболочка 5s^2 5p^4, тоже 6 валентных электронов. Не подходит.
- Si (5) — внешняя оболочка 3s^2 3p^2 → всего 4 валентных электрона. В возбуждённом состоянии возможно ns^1 np^3 (например, 3s^1 3p^3). Подходит.
Таким образом, правильный ответ: 53.
Что было не так в твоём ответе “124”:
- Ты выбрал O, S и Te. У всех них внешняя оболочка неподчинённой заданию числу электронов равна 6 (ns^2 np^4 или аналогично), следовательно для них ns^1 np^3 невозможно получить в нейтральном возбуждённом состоянии без изменения количества валентных электронов. А задача говорит именно о конфигурации внешнего уровня, где суммарно должно быть 4 электрона (ns^1 np^3).
- Правильная пара элементов — только Carbon и Silicon: C и Si имеют 4 валентных электрона в внешней оболочке и теоретически могут переходить в возбуждённое ns^1 np^3 состояние.
Если хочешь, могу привести ещё примеры конкретных возбуждённых конфигураций для C и Si и показать, как они выглядят на уровне электронных подуровней.
Пожалуйста, оцените мой ответ лайком или дизлайком.