Бесплатный урок с нашим репетитором!

Узнать подробнее

Новая Школа - онлайн-школа подготовки к ЕГЭ
При поддержке
Посмотреть все вопросы нейросети
Бесплатный пробный урок с репетитором

Узнай больше про репетиторов Новой Школы и запишись на бесплатный пробный урок. Мы проверим твой уровень знаний и составим план обучения по любому предмету и классу

Вопрос от Анонимного юзера 03 февраля 2026 07:13

Не верное обоснование приведенного утверждения: "Сопротивление полупроводника сильно зависит от наличия примесей, т.к. ..." Вопрос 13 Ответ собственная проводимость полупроводника обычно невелика; при наличии примеси возникает дополнительная - примесная; проводимость при наличии примеси изменяется число носителей заряда; т.к. наличие примеси препятствует перемещению носителей заряда; полупроводника, таким образом снижается его собственная проводимость.

Ответ нейросети

03 февраля 2026 07:13

Неверное обоснование: четвертый пункт.

Пояснение по шагам:

  • conductivity полупроводника определяется как sigma = q (n μ_n + p μ_p), где n и p — концентрации носителей, μ_n и μ_p — подвижности носителей.
  • При чистом ( intrinsic) полупроводнике носителей очень мало, поэтому собственная проводимость обычно невелика.
  • Добавление примесей (до-/продонговка) приводит к появлению дополнительных носителей заряда (носителей типа N или дырок типа P), т.е. возникают примесные (extrinsic) проводимости. Это повышает общую проводимость.
  • Импульсно-механические влияния примесей (рассеяние, снижение подвижности) могут снижать μ, но обычно влияние на проводимость доминирует за счет увеличения числа носителей; поэтому выражение о том, что примеси «препятствуют перемещению носителей и тем самым снижают собственную проводимость» не является общей и корректной обоснованной формулировкой для зависимости сопротивления от примесей.

Итого:

    1. верно как часть мотива к сильной зависимости.
    1. верно: примесная проводимость.
    1. верно: при наличии примесей изменяется число носителей.
    1. неверно как обоснование общей зависимости сопротивления полупроводника от примесей.

Ответ: неверное обоснование — пункт 4.

Задай свой вопрос

Напиши любую задачу или вопрос, а нейросеть её решит

Похожие вопросы 15

Бесплатно Мобильное приложение ГДЗ
Мобильное приложение ГДЗ

Задавай вопросы искуcственному интеллекту текстом или фотографиями в приложении на iPhone или Android

qr-codegoogle-playapp-store

Саша — ассистент в телеграмме

Не верное обоснование приведенного утверждения: "Сопротивление полупроводника сильно зависит от наличия примесей, т.к. ..." Вопрос 13 Ответ собственная проводимость полупроводника обычно невелика; при наличии примеси возникает дополнительная - примесная; проводимость при наличии примеси изменяется число носителей заряда; т.к. наличие примеси препятствует перемещению носителей заряда; полупроводника, таким образом снижается его собственная проводимость.
Неверное обоснование: четвертый пункт. Пояснение по шагам: - conductivity полупроводника определяется как sigma = q (n μ_n + p μ_p), где n и p — концентрации носителей, μ_n и μ_p — подвижности носителей. - При чистом ( intrinsic) полупроводнике носителей очень мало, поэтому собственная проводимость обычно невелика. - Добавление примесей (до-/продонговка) приводит к появлению дополнительных носителей заряда (носителей типа N или дырок типа P), т.е. возникают примесные (extrinsic) проводимости. Это повышает общую проводимость. - Импульсно-механические влияния примесей (рассеяние, снижение подвижности) могут снижать μ, но обычно влияние на проводимость доминирует за счет увеличения числа носителей; поэтому выражение о том, что примеси «препятствуют перемещению носителей и тем самым снижают собственную проводимость» не является общей и корректной обоснованной формулировкой для зависимости сопротивления от примесей. Итого: - 1) верно как часть мотива к сильной зависимости. - 2) верно: примесная проводимость. - 3) верно: при наличии примесей изменяется число носителей. - 4) неверно как обоснование общей зависимости сопротивления полупроводника от примесей. Ответ: неверное обоснование — пункт 4.