Сгенерируй тест для школьников с учетом следующих параметров: 1. Предмет: Физика 2. Тема теста: Электрический ток в полупроводниках. Собственная и примесная проводимость полупроводников 3. Класс учеников: 10 4. Типы вопросов в тесте: Единственный выбор 5. Количество вопросов: 15 6. Выводить ли тест с ответами: Да

Ниже представлен тест по теме: Электрический ток в полупроводниках. Собственная и примесная проводимость полупроводников (10 класс). Тип вопросов: единственный выбор. 15 вопросов. В конце — ответы. 1) Что такое собственная (intrinsic) проводимость полупроводника? A) проводимость чистого полупроводника без примесей, обусловленная носителями, возникшими за счет термического возбуждения электронов и дырок B) проводимость за счет примесей типа доноров C) проводимость за счет дефектов кристаллической решетки D) проводимость, возникающая только под действием внешнего электрического поля 2) Какой носитель доминирует в полупроводнике типа n при комнатной температуре? A) дырки B) электроны C) и электроны, и дырки одинаково D) никаких носителей 3) В полупроводнике типа p доминируют: A) электроны B) дырки C) и электроны, и дырки одинаково D) ионы 4) При увеличении концентрации доноров в полупроводнике типа n что обычно происходит с проводимостью? A) она растет B) она падает C) не меняется D) сначала растет, затем падает 5) Что такое примесная (extrinsic) проводимость полупроводника? A) проводимость чистого кристалла без примесей B) проводимость за счет добавленных примесей, которые образуют донорные или акцепторные уровни C) проводимость за счет термического возбуждения D) проводимость, возникающая только при освещении 6) Вычислите проводимость σ = q (n μn + p μp), если n = 5×10^16 см^-3, μn = 600 см^2/(В·с), p = 2×10^13 см^-3, μp = 150 см^2/(В·с), q = 1.6×10^-19 C. A) 0.48 Ω^-1·см^-1 B) 4.8 Ω^-1·см^-1 C) 48 Ω^-1·см^-1 D) 0.0048 Ω^-1·см^-1 7) Как зависит собственная концентрация носителей ni полупроводника от температуры? A) ni возрастает с ростом T B) ni падает с ростом T C) ni не зависит от T D) ni достигает максимума при средних T 8) Где примерно расположен уровень Ферми в чистом (intrinsic) полупроводнике по отношению к Eg? A) ближе к Ev B) ближе к Ec C) около середины между Ec и Ev D) выше Ec 9) Где расположен донорный уровень в полупроводнике типа n? A) ближе к Ev (валентной зоне) B) ближе к Ec (зоне проводимости) C) в середине запрещенной зоны D) вне зоны 10) Проводимость σ зависит от концентраций носителей n и p как: A) пропорционально (n μn + p μp) B) пропорциональна только n C) не зависит от n и p D) обратно пропорциональна n 11) При нагревании чистого полупроводника (intrinsic) проводимость: A) увеличивается B) уменьшается C) не изменяется D) сначала уменьшается, затем увеличивается 12) В типовых полупроводниках подвижность носителей различна: чаще μn > μp. Верно ли это? A) да, μn больше μp B) нет, μp больше μn C) они равны D) зависит от примеси 13) В примесном полупроводнике типа n при понижении температуры до низких значений проводимость обычно: A) возрастает B) уменьшается C) не изменяется D) становится бесконечно большой 14) При добавлении доноров энергия Ферми смещается: A) вверх ближе к Ec B) вниз ближе к Ev C) к середине D) не смещается 15) В полупроводнике с n-допированием какой носитель является основной проводимости? A) электроны B) дырки C) и электроны, и дырки одинаково D) ионы Ответы: 1) A 2) B 3) B 4) A 5) B 6) B 7) A 8) C 9) B 10) A 11) A 12) A 13) B 14) A 15) A