(а) Собственные полупроводниковые свойства кремния обусловлены тем, что его кристаллическая структура обладает четырьмя валентными электронами во внешней оболочке, что создает возможность для образования свободных переносчиков заряда.
(б)
TH полупроводника: кремний Добавка (примеси): бор (B) / мышьяк (As) Основной переносчик заряда: дырки п-типа: бор n-типа: мышьяк
(с) Электропроводность кремния увеличится за счет добавления примеси пятивалентного фосфора, так как фосфор имеет на один электрон больше, чем кремний, что приведет к появлению свободных электронов в структуре, увеличивая проводимость материала.
Фосфор относится к пентавалентным примесям. На схеме электронных переходов в смеси видно, как пятивалентные атомы фосфора вносят лишние электроны, что способствует увеличению концентрации электронов и проводимости в кремнии.
