: En = EF + (k*T/2)*ln(Nv/Nd)
где: En - энергетический уровень Ферми в полупроводнике n-типа, EF - энергетический уровень Ферми в симметричной позиции (валентной зоне) полупроводника, k - постоянная Больцмана (8.6173*10^-5 эВ/К), T - температура полупроводника в Кельвинах, Nv - эффективная плотность состояний в валентной зоне, Nd - плотность донорных примесей (количество электронов на единицу объема).
Примечание: данное уравнение справедливо при условии, что полупроводник находится в термодинамическом равновесии и в одномерии. Также пренебрегается влиянием других примесей.
