Фермиевский уровень энергии в полупроводнике n-типа определяется с помощью уравнения:
E_F = E_C - k_BTln(N_D/n_i)
где: E_F - энергетический уровень Ферми; E_C - энергия наивысшей зоны проводимости; k_B - постоянная Больцмана; T - температура в Кельвинах; N_D - концентрация донорных примесей (например, фосфорных атомов, образующих дополнительные электроны); n_i - концентрация носителей заряда, определяемая как произведение концентраций электронов и дырок в интраиндукационном состоянии при температуре T.
Уравнение позволяет определить положение Фермиевского уровня относительно зоны проводимости в полупроводнике n-типа в зависимости от температуры и концентрации донорных примесей.
