График зависимости тока от напряжения (I-V) для полупроводникового прибора, включенного в прямом направлении, обычно имеет следующую форму:
В начале графика, при небольших положительных напряжениях, ток очень мал и практически не протекает. Это называется областью обратного смещения (reverse bias).
При достижении определенного напряжения, называемого напряжением пробоя (breakdown voltage), начинается резкое возрастание тока. В этой области, ток между контактами полупроводникового прибора значительно увеличивается. Это называется областью пробоя (breakdown region).
После области пробоя, график может иметь практически вертикальный отрезок, где ток остается относительно постоянным при дальнейшем увеличении напряжения. Это называется областью насыщения (saturation region).
График для полупроводникового прибора с пятивалентным фосфором будет иметь схожую форму, однако конкретные значения тока и напряжения будут зависеть от специфических свойств германия и фосфора, а также других факторов, таких как размер прибора и процесс изготовления.
