В германий добавили пятивалентный фосфор. Какой будет график соответствующий характеру полупроводникового прибора, включенного в прямом направлении?

График зависимости тока от напряжения (I-V) для полупроводникового прибора, включенного в прямом направлении, имеет следующую форму:

Сначала, при небольших значениях напряжения, ток практически не течет через прибор (зона высокого сопротивления). Это называется областью обеднения (depletion region).

При достижении напряжения, называемого напряжением пробоя (breakdown voltage), ток резко возрастает и приближается к постоянному значению (насыщенный ток). Это область пробоя.

В результате слияния германия с пятивалентным фосфором будет образована п-н переходная структура, которая обладает двумя типами носителей заряда - электронами и дырками. Дырки будут переносятся от германия к фосфору, в то время как электроны будут переносятся от фосфора к германию. Это приведет к образованию области обеднения.

График I-V будет иметь сходство с графиком для диода, где область обеднения будет соответствовать началу графика (область низкого тока), а область пробоя будет соответствовать резкому возрастанию тока (область насыщения).

Однако, конкретный вид и форма графика I-V зависит от многих факторов, включая конкретные параметры материалов и допирования, поэтому для получения точного графика необходимо учитывать дополнительные детали и характеристики материала.