Для определения поверхностной плотности заряда на пластинах конденсатора воспользуемся формулой для емкости плоского конденсатора:
C = ε₀ * S / d,
где C - емкость конденсатора, ε₀ - электрическая постоянная, S - площадь пластин конденсатора, d - расстояние между пластинами.
Емкость конденсатора может быть выражена через разность потенциалов U и заряд на пластине Q:
C = Q / U.
Подставим данные в формулу:
Q / U = ε₀ * S / d.
Выразим площадь пластин S:
S = (Q * d) / (ε₀ * U).
Выразим поверхностную плотность заряда σ:
σ = Q / S.
Подставим в формулу значения:
S = (Q * d) / (ε₀ * U),
σ = Q / S.
Получим:
σ = Q / ((Q * d) / (ε₀ * U)).
Упростим:
σ = ε₀ * U / d.
Подставим в формулу значения:
ε₀ = 8,85 * 10^(-12) Ф/м (электрическая постоянная), U = 339 В (разность потенциалов), d = 1 см = 0,01 м (расстояние между пластинами).
Получим:
σ = (8,85 * 10^(-12) Ф/м) * (339 В) / (0,01 м) = 3,0 * 10^(-7) Кл/м².
Теперь определим линейное отклонение электрона, вызванное полем конденсатора.
Линейное отклонение электрона можно выразить через разность потенциалов U и начальную скорость электрона v₀:
d = (1/2) * (e/m) * (U/v₀)²,
где e - заряд электрона, m - масса электрона.
e = 1,6 * 10^(-19) Кл (заряд электрона), m = 9,1 * 10^(-31) кг (масса электрона), U = 339 В (разность потенциалов), v₀ = 6 * 10^5 м/с (скорость электрона).
Подставим значения:
d = (1/2) * ((1,6 * 10^(-19) Кл) / (9,1 * 10^(-31) кг)) * ((339 В) / (6 * 10^5 м/с))².
Упростим:
d = 4,7 * 10^(-3) м.
Таким образом, поверхностная плотность заряда на пластинах конденсатора составляет 3,0 * 10^(-7) Кл/м², а линейное отклонение электрона, вызванное полем конденсатора, равно 4,7 * 10^(-3) м.